maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BDW47G
Référence fabricant | BDW47G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BDW47G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BDW47G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 50mA, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Puissance - Max | 85W |
Fréquence - Transition | 4MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW47G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDW47G-FT |
2SA2125-TD-E
ON Semiconductor
2SC3647S-TD-E
ON Semiconductor
2SC3649S-TD-E
ON Semiconductor
2SC3646S-TD-E
ON Semiconductor
2SD1623S-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419S-TD-H
ON Semiconductor
2SA2124-S-TD-E
ON Semiconductor
2SA2125-S-TD-E
ON Semiconductor
2SA2125-S-TD-H
ON Semiconductor
2SC3646T-P-TD-E
ON Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel