maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BDV65A
Référence fabricant | BDV65A |
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Numéro de pièce future | FT-BDV65A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BDV65A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Puissance - Max | 125W |
Fréquence - Transition | 60MHz |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-218-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-218 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDV65A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDV65A-FT |
BCX5216H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX52H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5310H6327XTSA1
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BCX5516H6433XTMA1
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BCX55H6327XTSA1
Infineon Technologies
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel