maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BDT60-S
Référence fabricant | BDT60-S |
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Numéro de pièce future | FT-BDT60-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BDT60-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 1.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDT60-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDT60-S-FT |
BCP69-16/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCP69-16/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCV29H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCV49H6327XTSA1
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BCW60E6422HTMA1
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BCW61E6384HTMA1
Infineon Technologies
BCW68E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCX5116H6433XTMA1
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BCX51H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5216H6327XTSA1
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LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.