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Référence fabricant | BDS4B2501R0K |
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Numéro de pièce future | FT-BDS4B2501R0K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BDS, CGS |
BDS4B2501R0K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 Ohms |
Tolérance | ±10% |
Puissance (Watts) | 250W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 2.638" L x 2.372" W (67.00mm x 60.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.417" (36.00mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | Box |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS4B2501R0K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDS4B2501R0K-FT |
TGHPV1R00KE
Ohmite
TGHPV250RKE
Ohmite
TGHPV27R0KE
Ohmite
TGHPV470RKE
Ohmite
TGHPV50R0KE
Ohmite
TGHPV5R00KE
Ohmite
TGHPV68R0KE
Ohmite
TGHPV750RKE
Ohmite
TGHPV7R50KE
Ohmite
TGHPVR500KE
Ohmite
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676I
Xilinx Inc.
EPF10K100EFC256-2
Intel
XC4VLX15-10FF676C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2
Intel