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Référence fabricant | BDS2A250150RK |
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Numéro de pièce future | FT-BDS2A250150RK |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BDS, CGS |
BDS2A250150RK Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 150 Ohms |
Tolérance | ±10% |
Puissance (Watts) | 250W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 2.638" L x 2.372" W (67.00mm x 60.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.417" (36.00mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | Box |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A250150RK Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDS2A250150RK-FT |
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
TAP800K7K5E
Ohmite
TAP800K7R5E
Ohmite
TGHPV100RKE
Ohmite
TGHPV10R0KE
Ohmite
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX24-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation