maison / des produits / Résistances / Résistances à montage sur châssis / BDS2A100250RJ
Référence fabricant | BDS2A100250RJ |
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Numéro de pièce future | FT-BDS2A100250RJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BDS, CGS |
BDS2A100250RJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 250 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 100W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | SOT-227-2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A100250RJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDS2A100250RJ-FT |
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
AGL015V5-QNG68I
Microsemi Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXMA3K3F40I3LN
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
XC7VX690T-1FFG1926I
Xilinx Inc.
EP4SGX180HF35C2N
Intel
EP1S40F1020I6
Intel