maison / des produits / Résistances / Résistances à montage sur châssis / BDS2A1001M0J
Référence fabricant | BDS2A1001M0J |
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Numéro de pièce future | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 MOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 100W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | SOT-227-2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8LN
Intel
XC2V1000-6BGG575C
Xilinx Inc.
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3SE110F780I4L
Intel