maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BD648-S
Référence fabricant | BD648-S |
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Numéro de pièce future | FT-BD648-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BD648-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD648-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BD648-S-FT |
2N2924
Central Semiconductor Corp
2N4424
Central Semiconductor Corp
2N5209
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2N2925
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CMLT7820G TR
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CMLT3820G TR
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EPF6024ATC144-2N
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XC2VP2-5FG456I
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A54SX32A-FFG144
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10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation