maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR562E6327HTSA1
Référence fabricant | BCR562E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR562E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR562E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 330mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR562E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR562E6327HTSA1-FT |
PDTA124TS,126
NXP USA Inc.
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
NXP USA Inc.
PDTA144VS,126
NXP USA Inc.
PDTA144WS,126
NXP USA Inc.
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR
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A3PN250-VQ100
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EP4CGX150DF27C7N
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5SGXEA4K1F40C1N
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LFE2-12E-6F256C
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