maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 112L3 E6327
Référence fabricant | BCR 112L3 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 112L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 112L3 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 140MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-3-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 112L3 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 112L3 E6327-FT |
PDTC123YE,115
NXP USA Inc.
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484LI
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel