maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 108L3 E6327

| Référence fabricant | BCR 108L3 E6327 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-BCR 108L3 E6327 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| BCR 108L3 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | 170MHz |
| Puissance - Max | 250mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-3-4 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BCR 108L3 E6327 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | BCR 108L3 E6327-FT |

PDTC123TE,115
NXP USA Inc.

PDTC123YE,115
NXP USA Inc.

PDTC124EE,115
NXP USA Inc.

PDTC124TE,115
NXP USA Inc.

PDTC124XE,115
NXP USA Inc.

PDTC143EE,115
NXP USA Inc.

PDTC143TE,115
NXP USA Inc.

PDTC143XE,115
NXP USA Inc.

PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.

PDTC144EE,115
NXP USA Inc.

XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.

XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.

EP3C5U256I7
Intel

5SGSMD5K3F40C2
Intel

EP3C16E144I7
Intel

XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.

A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation

LFE2-35E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1SGX25FF1020C5
Intel