maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BCP5116H6327XTSA1
Référence fabricant | BCP5116H6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BCP5116H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCP5116H6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | 125MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCP5116H6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCP5116H6327XTSA1-FT |
2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUB
Microsemi Corporation
2N3500
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2N3019S
Microsemi Corporation
2N3735
Microsemi Corporation
2N4236
Microsemi Corporation
2N5680
Microsemi Corporation
2N6193
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel