maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC858BL3E6327
Référence fabricant | BC858BL3E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BC858BL3E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC858BL3E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 250mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858BL3E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC858BL3E6327-FT |
BC 808-25 E6327
Infineon Technologies
BC 808-25 E6433
Infineon Technologies
BC 808-40 B6327
Infineon Technologies
BC 808-40 E6327
Infineon Technologies
BC 817-16 B5003
Infineon Technologies
BC 817-16 E6327
Infineon Technologies
BC 817-16 E6433
Infineon Technologies
BC 817-25 B5003
Infineon Technologies
BC 817-25 E6327
Infineon Technologies
BC 817-25 E6433
Infineon Technologies
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel