maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC857BW-G
Référence fabricant | BC857BW-G |
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Numéro de pièce future | FT-BC857BW-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC857BW-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2.2mA, 5V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BW-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC857BW-G-FT |
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
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ZXTP720MATA
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ZXTN620MATA
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ZXTN618MATA
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Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
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LCMXO1200C-3T144I
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XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
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EP2SGX90EF1152C4ES
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XC2V1500-5BGG575C
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XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel