maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / BC857BS,115
Référence fabricant | BC857BS,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BC857BS,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BC857BS,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BS,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC857BS,115-FT |
ULN2004ANSR
Texas Instruments
ULN2004AINSRG4
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ULN2003AINSR
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ULN2003ANSR
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ULN2003ANSRE4
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ULN2003ANSRG4
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ULN2004AINSR
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ULN2004AINS
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ULN2004AINSG4
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A3PE3000-2FGG484I
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5SGXEA5N2F45C3N
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M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
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EPF10K200SBI356-2
Intel