maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC856T,115
Référence fabricant | BC856T,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BC856T,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BC856T,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856T,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856T,115-FT |
BC327-25,112
NXP USA Inc.
BC327-40,112
NXP USA Inc.
BC337,112
NXP USA Inc.
BC337-16,112
NXP USA Inc.
BC337-25,112
NXP USA Inc.
BC337-40,412
NXP USA Inc.
BC368,112
NXP USA Inc.
BC369,112
NXP USA Inc.
BC517,112
NXP USA Inc.
BC547B,112
NXP USA Inc.
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation