maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC856BW-G
Référence fabricant | BC856BW-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BC856BW-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC856BW-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2.2mA, 5V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BW-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856BW-G-FT |
DXTP19020DP5-13
Diodes Incorporated
ZXTN04120HP5TC
Diodes Incorporated
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
AX250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2N
Intel
5SGSMD6K3F40C2N
Intel
5SGSMD5H3F35C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation