maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / BC856BS/DG/B2,115
Référence fabricant | BC856BS/DG/B2,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BC856BS/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BC856BS/DG/B2,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 300mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BS/DG/B2,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856BS/DG/B2,115-FT |
ZXTD617MCTA
Diodes Incorporated
ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXTP56060FDBQ-7
Diodes Incorporated
BC807DSF
Nexperia USA Inc.
BC817DPNF
Nexperia USA Inc.
BC846SF
Nexperia USA Inc.
BC846SZ
Nexperia USA Inc.
BCM856BSF
Nexperia USA Inc.
XC6SLX25-3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ATC100-3
Intel
EP3C55F484C6
Intel
5SGSMD5K1F40C1
Intel
EP3SE110F1152I3
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD5C5U19A7N
Intel
10AX115S2F45E2SG
Intel