maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC856AW-G
Référence fabricant | BC856AW-G |
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Numéro de pièce future | FT-BC856AW-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC856AW-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856AW-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC856AW-G-FT |
DXTP03200BP5-13
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DXTP19020DP5-13
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ZXTN617MATA
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ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
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10M25DAF484I6G
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5SGXEA3K2F40C3
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5SGXEB6R3F43I3LN
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XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
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