maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC557BTFR
Référence fabricant | BC557BTFR |
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Numéro de pièce future | FT-BC557BTFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC557BTFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC557BTFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC557BTFR-FT |
BC517RL1G
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BC517ZL1
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
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XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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