maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC337-16 A1G
Référence fabricant | BC337-16 A1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BC337-16 A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC337-16 A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC337-16 A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC337-16 A1G-FT |
2SC2655-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(6MBH1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(HIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6CANOFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6CN,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6ND1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6ND2,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation