maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BC212LB_J35Z
Référence fabricant | BC212LB_J35Z |
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Numéro de pièce future | FT-BC212LB_J35Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BC212LB_J35Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 15nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 350mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC212LB_J35Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BC212LB_J35Z-FT |
2N5550TF
ON Semiconductor
2N5550_D26Z
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2N5551CTA
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2N5551RLRMG
ON Semiconductor
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
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XCS30XL-4VQG100C
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5SGXEBBR2H43C2N
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XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
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LFE2-50E-6F672I
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5CEFA4U19C7N
Intel