maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY5806WE6327BTSA1
Référence fabricant | BBY5806WE6327BTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BBY5806WE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY5806WE6327BTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 5.5pF @ 6V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.5 |
Ratio de capacité condition | C1/C4 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | 1 Pair Common Anode |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5806WE6327BTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY5806WE6327BTSA1-FT |
MV104
ON Semiconductor
MV104G
ON Semiconductor
MV209
ON Semiconductor
MV209G
ON Semiconductor
MV2101
ON Semiconductor
MV2101G
ON Semiconductor
MV2105
ON Semiconductor
MV2109G
ON Semiconductor
MV2109RLRAG
ON Semiconductor
MV104RLRAG
ON Semiconductor
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-1PQG100I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4SGX530KF43I4N
Intel
10AX115N4F40E3SG
Intel
EP2AGX45CU17C6G
Intel
EP4SGX230DF29I3
Intel