maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 58-02V E6327
Référence fabricant | BBY 58-02V E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 58-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 58-02V E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 5.5pF @ 6V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.5 |
Ratio de capacité condition | C1/C4 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 58-02V E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 58-02V E6327-FT |
BB178,115
NXP USA Inc.
BB178,135
NXP USA Inc.
BB178,315
NXP USA Inc.
BB178,335
NXP USA Inc.
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
BB179,335
NXP USA Inc.
BB179B,115
NXP USA Inc.
BB179B,135
NXP USA Inc.
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCVG484I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
EP20K600EFC672-2N
Intel
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Intel
EP2S60F484C5
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABI356-3
Intel