maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 58-02V E6327
Référence fabricant | BBY 58-02V E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BBY 58-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 58-02V E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 5.5pF @ 6V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.5 |
Ratio de capacité condition | C1/C4 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 58-02V E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 58-02V E6327-FT |
BB178,115
NXP USA Inc.
BB178,135
NXP USA Inc.
BB178,315
NXP USA Inc.
BB178,335
NXP USA Inc.
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
BB179,335
NXP USA Inc.
BB179B,115
NXP USA Inc.
BB179B,135
NXP USA Inc.
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3N
Intel
10M50SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R3F43I4N
Intel
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP3CLS200F780I7N
Intel
EP1S30F780I6
Intel
EP20K60EQC240-1
Intel