maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY5603WE6327HTSA1
Référence fabricant | BBY5603WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY5603WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY5603WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 12.1pF @ 4V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.3 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5603WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY5603WE6327HTSA1-FT |
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
BB156,135
NXP USA Inc.
BB171X
NXP USA Inc.
LCMXO2-7000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-L1FG676I
Xilinx Inc.
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6KMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8282ATI100-3
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation