maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 56-02W E6327
Référence fabricant | BBY 56-02W E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 56-02W E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 56-02W E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 12.1pF @ 4V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3.3 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 10V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 56-02W E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 56-02W E6327-FT |
BBY 53-03LRH E6327
Infineon Technologies
BBY 51-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 57-02L E6327
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BBY5202LE6327XTMA1
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BBY5202LE6816XTMA1
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BBY5302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BBY5702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BBY5802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2LN
Intel
5SGXEA5K2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SL50F780C3N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel