maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY5503WE6327HTSA1
Référence fabricant | BBY5503WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY5503WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY5503WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacité @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz |
Ratio de capacité | 3 |
Ratio de capacité condition | C2/C10 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 16V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5503WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY5503WE6327HTSA1-FT |
BB179B,115
NXP USA Inc.
BB179B,135
NXP USA Inc.
BB179B,315
NXP USA Inc.
BB179B,335
NXP USA Inc.
BB182,115
NXP USA Inc.
BB182,135
NXP USA Inc.
BB182,315
NXP USA Inc.
BB182,335
NXP USA Inc.
BB184,115
NXP USA Inc.
BB184,135
NXP USA Inc.
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2LN
Intel
5SGXEA5K2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SL50F780C3N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel