maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 53-02W E6327
Référence fabricant | BBY 53-02W E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 53-02W E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 53-02W E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.1pF @ 3V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.6 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 6V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 53-02W E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 53-02W E6327-FT |
BB202LX,315
NXP USA Inc.
MAVR-011020-14110P
M/A-Com Technology Solutions
MAVR-011020-14110G
M/A-Com Technology Solutions
BBY 53-03LRH E6327
Infineon Technologies
BBY 51-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 57-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 58-02L E6327
Infineon Technologies
BBY5202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BBY5202LE6816XTMA1
Infineon Technologies
BBY5302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2280E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4028XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I7
Intel
5SGXMA3K3F40C2LN
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA4H2F35I2L
Intel
AX1000-1FG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation