maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 53-02W E6327
Référence fabricant | BBY 53-02W E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BBY 53-02W E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 53-02W E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.1pF @ 3V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.6 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 6V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 53-02W E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 53-02W E6327-FT |
BB202LX,315
NXP USA Inc.
MAVR-011020-14110P
M/A-Com Technology Solutions
MAVR-011020-14110G
M/A-Com Technology Solutions
BBY 53-03LRH E6327
Infineon Technologies
BBY 51-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 57-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 58-02L E6327
Infineon Technologies
BBY5202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BBY5202LE6816XTMA1
Infineon Technologies
BBY5302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68M
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F29E2SG
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC2VP30-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation