maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 53-02V E6327
Référence fabricant | BBY 53-02V E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 53-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 53-02V E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.1pF @ 3V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.6 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 6V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 53-02V E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 53-02V E6327-FT |
BB141,115
NXP USA Inc.
BB143,115
NXP USA Inc.
BB145,115
NXP USA Inc.
BB178,115
NXP USA Inc.
BB178,135
NXP USA Inc.
BB178,315
NXP USA Inc.
BB178,335
NXP USA Inc.
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
XC4028XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
AX250-1FG484M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C4
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LFXP2-30E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I3SGES
Intel
EP4SGX230FF35I3
Intel