maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 53-02V E6327
Référence fabricant | BBY 53-02V E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 53-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 53-02V E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.1pF @ 3V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.6 |
Ratio de capacité condition | C1/C3 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 6V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 53-02V E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 53-02V E6327-FT |
BB141,115
NXP USA Inc.
BB143,115
NXP USA Inc.
BB145,115
NXP USA Inc.
BB178,115
NXP USA Inc.
BB178,135
NXP USA Inc.
BB178,315
NXP USA Inc.
BB178,335
NXP USA Inc.
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
LFECP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
XC4003E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel
10AX115N4F40E3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGES
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel