maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BBY 51-02W E6327
Référence fabricant | BBY 51-02W E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BBY 51-02W E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BBY 51-02W E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 3.7pF @ 4V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.2 |
Ratio de capacité condition | C1/C4 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 7V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 51-02W E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BBY 51-02W E6327-FT |
BB182LX,315
NXP USA Inc.
BB187LX,315
NXP USA Inc.
BB202LX,315
NXP USA Inc.
MAVR-011020-14110P
M/A-Com Technology Solutions
MAVR-011020-14110G
M/A-Com Technology Solutions
BBY 53-03LRH E6327
Infineon Technologies
BBY 51-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 57-02L E6327
Infineon Technologies
BBY 58-02L E6327
Infineon Technologies
BBY5202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
XC3S1500L-4FGG456C
Xilinx Inc.
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXMA5N1F45C2LN
Intel
XC4013XL-2BG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I5
Intel