maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB837E6327HTSA1
Référence fabricant | BB837E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BB837E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB837E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Capacité @ Vr, F | 0.52pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 12 |
Ratio de capacité condition | C1/C25 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB837E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB837E6327HTSA1-FT |
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F45C3N
Intel
EP3SL110F1152I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
EP20K100EBI356-2X
Intel