maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB833E6327HTSA1
Référence fabricant | BB833E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BB833E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB833E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 0.9pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 12.4 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB833E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB833E6327HTSA1-FT |
BB189,115
NXP USA Inc.
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68M
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F29E2SG
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC2VP30-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation