maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB831E7904HTSA1
Référence fabricant | BB831E7904HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BB831E7904HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB831E7904HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 9.5 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB831E7904HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB831E7904HTSA1-FT |
BB187,335
NXP USA Inc.
BB189,115
NXP USA Inc.
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10CL120ZF484I8G
Intel
10M40DCF672C8G
Intel
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4F23C8N
Intel