maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB 814 E6433 GR1
Référence fabricant | BB 814 E6433 GR1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BB 814 E6433 GR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB 814 E6433 GR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacité @ Vr, F | 22.7pF @ 8V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.25 |
Ratio de capacité condition | C2/C8 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 18V |
Type de diode | 1 Pair Common Cathode |
Q @ Vr, F | 200 @ 2V, 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB 814 E6433 GR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB 814 E6433 GR1-FT |
MV104
ON Semiconductor
MV104G
ON Semiconductor
MV209
ON Semiconductor
MV209G
ON Semiconductor
MV2101
ON Semiconductor
MV2101G
ON Semiconductor
MV2105
ON Semiconductor
MV2109G
ON Semiconductor
MV2109RLRAG
ON Semiconductor
MV104RLRAG
ON Semiconductor
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68M
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F29E2SG
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC2VP30-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation