maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB814E6327GR1HTSA1
Référence fabricant | BB814E6327GR1HTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BB814E6327GR1HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB814E6327GR1HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacité @ Vr, F | 22.7pF @ 8V, 1MHz |
Ratio de capacité | 2.25 |
Ratio de capacité condition | C2/C8 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 18V |
Type de diode | 1 Pair Common Cathode |
Q @ Vr, F | 200 @ 2V, 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB814E6327GR1HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB814E6327GR1HTSA1-FT |
MV104
ON Semiconductor
MV104G
ON Semiconductor
MV209
ON Semiconductor
MV209G
ON Semiconductor
MV2101
ON Semiconductor
MV2101G
ON Semiconductor
MV2105
ON Semiconductor
MV2109G
ON Semiconductor
MV2109RLRAG
ON Semiconductor
MV104RLRAG
ON Semiconductor
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C7N
Intel
EP20K300EQC240-3
Intel
EP1K30QI208-2N
Intel