maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB 659C E7912
Référence fabricant | BB 659C E7912 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BB 659C E7912 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB 659C E7912 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.75pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 15.3 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB 659C E7912 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB 659C E7912-FT |
BB208-03,135
NXP USA Inc.
BB148,115
NXP USA Inc.
BB148,135
NXP USA Inc.
BB149,115
NXP USA Inc.
BB149,135
NXP USA Inc.
BB149A,115
NXP USA Inc.
BB149A,135
NXP USA Inc.
BB152,115
NXP USA Inc.
BB153,115
NXP USA Inc.
BB153,135
NXP USA Inc.
A1010B-1VQG80C
Microsemi Corporation
XCV200E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PN125-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-1X
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45E2LG
Intel