maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB659C02VH7912XTSA1
Référence fabricant | BB659C02VH7912XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BB659C02VH7912XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB659C02VH7912XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.75pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 15.3 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB659C02VH7912XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB659C02VH7912XTSA1-FT |
BB181,335
NXP USA Inc.
BB202,135
NXP USA Inc.
BB208-02,115
NXP USA Inc.
BB208-02,135
NXP USA Inc.
BB141,115
NXP USA Inc.
BB143,115
NXP USA Inc.
BB145,115
NXP USA Inc.
BB178,115
NXP USA Inc.
BB178,135
NXP USA Inc.
BB178,315
NXP USA Inc.
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXEA4K3F40C2N
Intel
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
XC2V2000-4BGG575C
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation