maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB639E7908
Référence fabricant | BB639E7908 |
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Numéro de pièce future | FT-BB639E7908 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB639E7908 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.9pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 14.7 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB639E7908 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB639E7908-FT |
BB187,115
NXP USA Inc.
BB187,135
NXP USA Inc.
BB187,315
NXP USA Inc.
BB187,335
NXP USA Inc.
BB189,115
NXP USA Inc.
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
A3P125-1TQG144I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP1S20B672C7N
Intel
EP4SE530H40C3ES
Intel
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F1020C7N
Intel