maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB639E7908
Référence fabricant | BB639E7908 |
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Numéro de pièce future | FT-BB639E7908 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB639E7908 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.9pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 14.7 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB639E7908 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB639E7908-FT |
BB187,115
NXP USA Inc.
BB187,135
NXP USA Inc.
BB187,315
NXP USA Inc.
BB187,335
NXP USA Inc.
BB189,115
NXP USA Inc.
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68M
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F29E2SG
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC2VP30-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation