maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB555H7902XTSA1
Référence fabricant | BB555H7902XTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BB555H7902XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB555H7902XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.3pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 9.8 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB555H7902XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB555H7902XTSA1-FT |
BB149A,135
NXP USA Inc.
BB152,115
NXP USA Inc.
BB153,115
NXP USA Inc.
BB153,135
NXP USA Inc.
BBY40,235
NXP USA Inc.
BB201,215
NXP USA Inc.
BB207,215
NXP USA Inc.
BB207,235
NXP USA Inc.
BBY40,215
NXP USA Inc.
BB200,215
NXP USA Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I7G
Intel
EP3C5F256C6
Intel
10AX032E4F27I3SG
Intel
5CGXFC9A6U19I7N
Intel
EP4S100G3F45I3N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation