maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Capacité variable (Varicaps, Varactors) / BB 555 E7912
Référence fabricant | BB 555 E7912 |
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Numéro de pièce future | FT-BB 555 E7912 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BB 555 E7912 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacité @ Vr, F | 2.3pF @ 28V, 1MHz |
Ratio de capacité | 9.8 |
Ratio de capacité condition | C1/C28 |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Type de diode | Single |
Q @ Vr, F | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB 555 E7912 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BB 555 E7912-FT |
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
BB156,135
NXP USA Inc.
BB171X
NXP USA Inc.
BB172X
NXP USA Inc.
BB208-03,135
NXP USA Inc.
BB148,115
NXP USA Inc.
BB148,135
NXP USA Inc.
BB149,115
NXP USA Inc.
XCS20XL-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO256E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-3PQ208I
Xilinx Inc.
AGL030V2-UCG81
Microsemi Corporation
M2GL005S-1FG484I
Microsemi Corporation
5AGZME5H3F35C4N
Intel
LFXP2-17E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D6F31C6N
Intel
EP1S30F780I6N
Intel