Référence fabricant | BAW62 |
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Numéro de pièce future | FT-BAW62 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW62 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW62 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW62-FT |
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
IDV20E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV03S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV04S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV05S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV06S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV30E60C
Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA2
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel