maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAW56T116
Référence fabricant | BAW56T116 |
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Numéro de pièce future | FT-BAW56T116 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW56T116 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SSD3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56T116 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW56T116-FT |
RB548WTL
Rohm Semiconductor
DAN217WTL
Rohm Semiconductor
DAN222WMTL
Rohm Semiconductor
RB557WTL
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RB715WTL
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DAN217UT106
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EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
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XCVU080-2FFVD1517E
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5SGXEABN2F45C2N
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XC4010E-3PC84C
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XC6VLX195T-2FFG1156C
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A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
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EPF10K50SQC208-3N
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