maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAW56SB6327XT
Référence fabricant | BAW56SB6327XT |
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Numéro de pièce future | FT-BAW56SB6327XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW56SB6327XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56SB6327XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW56SB6327XT-FT |
DSA70C150HB
IXYS
DSA80C45HB
IXYS
DSB30C45HB
IXYS
DSB60C30HB
IXYS
DSB60C45HB
IXYS
DSB60C60HB
IXYS
DSB80C45HB
IXYS
DPG60C300HB
IXYS
DPG60C400HB
IXYS
DPF80C200HB
IXYS
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel