maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAW56SB6327XT
Référence fabricant | BAW56SB6327XT |
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Numéro de pièce future | FT-BAW56SB6327XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW56SB6327XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56SB6327XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW56SB6327XT-FT |
DSA70C150HB
IXYS
DSA80C45HB
IXYS
DSB30C45HB
IXYS
DSB60C30HB
IXYS
DSB60C45HB
IXYS
DSB60C60HB
IXYS
DSB80C45HB
IXYS
DPG60C300HB
IXYS
DPG60C400HB
IXYS
DPF80C200HB
IXYS
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel