maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAW101S,115
Référence fabricant | BAW101S,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAW101S,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAW101S,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150nA @ 250V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW101S,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAW101S,115-FT |
CD611616C
Powerex Inc.
CD611616B
Powerex Inc.
CD610816B
Powerex Inc.
CD412499C
Powerex Inc.
CD411699C
Powerex Inc.
CD411299B
Powerex Inc.
LQA10N200C
Power Integrations
LQA20N150C
Power Integrations
LQA20N200C
Power Integrations
LQA30B200C
Power Integrations
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel