maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV99S/DG/B3,115
Référence fabricant | BAV99S/DG/B3,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV99S/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99S/DG/B3,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99S/DG/B3,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV99S/DG/B3,115-FT |
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
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MBR30060CT
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MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CT
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MBR30080CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel