maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV99/8,215
Référence fabricant | BAV99/8,215 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAV99/8,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV99/8,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99/8,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV99/8,215-FT |
BAS16VY/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAS16VY/ZLZ
Nexperia USA Inc.
BAV99S/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAV99S/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAW56S/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAW56S/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAT854CW,115
Nexperia USA Inc.
BAV99W,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-04W,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-06W,115
Nexperia USA Inc.
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel