maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV99-7-F
Référence fabricant | BAV99-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAV99-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV99-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV99-7-F-FT |
20CJQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CJQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT74,215
Nexperia USA Inc.
BAV23-7
Diodes Incorporated
DB4X313K0R
Panasonic Electronic Components
BAS28-7
Diodes Incorporated
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.
BAV23,215
Nexperia USA Inc.
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel