maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV70LT1G
Référence fabricant | BAV70LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-BAV70LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV70LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV70LT1G-FT |
NRTSV20H100CTG
ON Semiconductor
MBR60H100CTG
ON Semiconductor
NTSV20H120CTG
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MBR2535CTLG
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MUR1620CTRG
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MUR1620CTG
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NRTSV30H120CTG
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XC3S50A-4FTG256I
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LCMXO3LF-6900C-5BG400I
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LFE5UM-85F-8BG554I
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EP2SGX60CF484I4
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EP4CE10F17C6N
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Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
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A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
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