Référence fabricant | BAV21 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV21 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV21 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV21-FT |
BAT 64-02W E6327
Infineon Technologies
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
IDV20E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV03S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV04S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV05S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV06S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV30E60C
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel