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Référence fabricant | BAV21WS R9G |
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Numéro de pièce future | FT-BAV21WS R9G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV21WS R9G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-90, SOD-323F |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323F |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21WS R9G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV21WS R9G-FT |
SS220LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS220LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS315LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS315LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSW3U60HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1JLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES15DLW RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel